開(kāi)關(guān)柜運(yùn)行過(guò)程中,絕緣材料會(huì)受到高溫、高壓、油污、化學(xué)物質(zhì)、振動(dòng)等各方面的作用,絕緣性能不斷惡化,加快了局部放電的速度,反過(guò)來(lái)局部放電又對(duì)絕緣的惡化起到推動(dòng)作用。因此檢測(cè)開(kāi)關(guān)柜的局部放電可以有效預(yù)防故障。本文就針對(duì)該問(wèn)題展開(kāi)討論,首先闡述局部放電的相關(guān)概念,總結(jié)局部放電的種類與特點(diǎn),并分析局部放電的" />
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開(kāi)關(guān)柜局部放電原因分析與處理

發(fā)布時(shí)間:2021-09-14

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發(fā)布者:未知

    在開(kāi)關(guān)柜絕緣系統(tǒng)中,各部位的電場(chǎng)強(qiáng)度存在差異,某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象,不過(guò)施加電壓的兩個(gè)導(dǎo)體之間并未貫穿整個(gè)放電過(guò)程,即放電未擊穿絕緣系統(tǒng),這種現(xiàn)象即為局部放電。
       
       絕緣介質(zhì)中電場(chǎng)分布、絕緣的電氣物理性能等決定了發(fā)生局部放電的條件,一般情況下高電場(chǎng)強(qiáng)度、低電氣強(qiáng)度的條件下容易出現(xiàn)局部放電。雖然局部放電通常不會(huì)貫通性的擊穿絕緣,但是卻可能局部損壞電介質(zhì),如果長(zhǎng)期存在局部放電的現(xiàn)象,則基于特定的條件下會(huì)降低絕緣介質(zhì)的電氣強(qiáng)度。

       由此可見(jiàn),局部放電屬于電氣設(shè)備中的隱患,其破壞過(guò)程體現(xiàn)出緩慢性、長(zhǎng)期性的特點(diǎn)。通常局部放電的特性可以較好的印證絕緣缺陷,可以通過(guò)局部放電的特性來(lái)分析絕緣的局部損壞程度。很大程度上對(duì)各種局部放電特性進(jìn)行綜合測(cè)量,可以對(duì)產(chǎn)品的絕緣水平進(jìn)行客觀的評(píng)價(jià)。

 

局部放電的種類特點(diǎn)

 1.電暈放電

  通常在氣體包圍的高壓導(dǎo)體周圍會(huì)出現(xiàn)電暈放電,比如高壓輸電線路或者高壓變壓器等,這些高壓電氣設(shè)備的高壓接線端子暴露在空氣中,因此發(fā)生電暈放電的機(jī)率相對(duì)較大。電暈放電體現(xiàn)出的是典型的、極不均勻電場(chǎng)的特征,也是極不均勻電場(chǎng)下特有的自持放電形式。很多外界因素均會(huì)對(duì)電暈起始電壓產(chǎn)生影響,比如電極的形狀、外加電壓、氣體密度、極間距離以及空的濕度與流動(dòng)速度等等。


電暈放電過(guò)程

 

 2.沿面放電

  通常在絕緣介質(zhì)表面會(huì)出現(xiàn)沿面放電的現(xiàn)象。這種局部放電的形式屬于特殊的氣體放電現(xiàn)象,電力電纜、電機(jī)繞組、絕緣套管的端部等位置比較常見(jiàn)沿面放電。一旦介質(zhì)內(nèi)部電場(chǎng)的強(qiáng)度低于電極邊緣氣隙的電場(chǎng)強(qiáng)度,而且介質(zhì)沿面擊穿電壓相對(duì)較低,沿面放電就會(huì)發(fā)生在絕緣介質(zhì)的表面。通常電壓波形、電場(chǎng)的分布、空氣質(zhì)量、介質(zhì)的表面狀態(tài)、氣候條件等均會(huì)對(duì)沿面放電電壓產(chǎn)生影響,所以沿面放電體現(xiàn)出不穩(wěn)定的特點(diǎn)。


沿面放電

 

 3.內(nèi)部放電

  固體絕緣介質(zhì)內(nèi)部比較常見(jiàn)內(nèi)部放電。在生產(chǎn)加工絕緣介質(zhì)時(shí)難免存在材料與工藝缺陷的問(wèn)題,導(dǎo)致絕緣介質(zhì)內(nèi)部出現(xiàn)內(nèi)部缺陷,比如摻人少量的空氣或者雜質(zhì)等。一旦絕緣受到高壓作用,內(nèi)部缺陷就有發(fā)生局部擊穿或者重復(fù)性擊穿的可能。通常介質(zhì)自身的特性、氣隙大小、缺陷的位置與形狀、氣隙氣體的種類等會(huì)對(duì)內(nèi)部放電的發(fā)生條件產(chǎn)生影響。

 

 4.懸浮電位放電

  這種局部放電的形式是指高壓設(shè)備中某個(gè)導(dǎo)體部件存在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)缺陷,或者其它原因?qū)е陆佑|不良斷開(kāi),最終造成該部件位于高壓電極與低壓電極之間并根據(jù)其位置的阻抗比獲得分壓發(fā)生放電,針對(duì)該導(dǎo)體部件上對(duì)地電位稱其為懸浮電位。導(dǎo)體具有懸浮電位時(shí),通常其附近的場(chǎng)強(qiáng)會(huì)比較集中,而且會(huì)破壞四周絕緣介質(zhì)的形成。一般在電氣設(shè)備內(nèi)高電位的金屬部件或者處于地電位的金屬部件上容易發(fā)生懸浮電位放電。

 

開(kāi)關(guān)柜局部放電檢測(cè)方法

  針對(duì)開(kāi)關(guān)柜而言,其局部放電檢測(cè)方法包括以下幾種:

 

  1.地電波檢測(cè)

 

  在高壓開(kāi)關(guān)柜絕緣層中發(fā)生局部放電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁波,而開(kāi)關(guān)柜的金屬外殼會(huì)將這種電磁波屏蔽掉一大部分,不過(guò)仍有小部分會(huì)通過(guò)金屬殼體的接縫或者氣體絕緣開(kāi)關(guān)襯墊傳播出去,而且還會(huì)產(chǎn)生一個(gè)地電波通過(guò)設(shè)備金屬殼體外表面?zhèn)飨虻叵?。地電波的范圍通常在幾毫伏直至幾伏中間,而且上升時(shí)間內(nèi)有幾個(gè)納秒。可以將探頭設(shè)置于工作狀態(tài)中的開(kāi)關(guān)柜的外表面,對(duì)局部放電活動(dòng)進(jìn)行檢測(cè)。

 

  2.超聲波檢測(cè)

 

  其實(shí)超聲波檢測(cè)屬于機(jī)械振動(dòng)波的一種,基于能量的角度而言,局部放電的過(guò)程即為能量瞬時(shí)爆發(fā)的過(guò)程,電能通過(guò)聲能、光能、熱能以及電磁能的形式釋放出去,電氣擊穿發(fā)生在空氣間隙,瞬間就可以完成放電,此時(shí)電能也會(huì)在一瞬間轉(zhuǎn)化為熱能,放電中心的氣體受到熱能的作用會(huì)發(fā)生膨脹,通過(guò)聲波向外傳播,傳播區(qū)域內(nèi)氣體被加熱后形成一個(gè)等溫區(qū),其溫度超出環(huán)境溫度;等到這些氣體冷卻后開(kāi)始收縮,則會(huì)產(chǎn)生后續(xù)波,后續(xù)波的頻率以及強(qiáng)度均比較低,包含各種頻率分量,有很寬的頻帶,超聲波的頻率大于20kHz。因?yàn)榫植糠烹姷膮^(qū)域相對(duì)較小,所以局放聲源即為點(diǎn)聲源。

 

  3.超高頻檢測(cè)法

 

  時(shí)間變化過(guò)程中,局部放電所產(chǎn)生的電磁振動(dòng)會(huì)產(chǎn)生電磁波,在固氣與氣體介質(zhì)中,局部放電脈沖會(huì)發(fā)生非常豐富的電磁波超高頻分量,最高可達(dá)數(shù)GHz。實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,局放信號(hào)的檢測(cè)可以利用兩個(gè)探頭來(lái)進(jìn)行,將探頭檢測(cè)到信號(hào)的時(shí)間順序作為判斷依據(jù),放電源的距離較近,就會(huì)被先檢測(cè)到;探頭位置不斷變化,可以將放電源的大致位置逐步判斷出來(lái)?;蛘咄ㄟ^(guò)多個(gè)探頭,將探頭檢測(cè)局放信號(hào)的時(shí)間差列方程組,可以求出放電源的三維空間坐標(biāo),最終確定放電源。該方法的靈敏度相對(duì)較高,且具備較強(qiáng)的抗干擾能力,而且開(kāi)關(guān)柜上通常有接縫或者小玻璃窗,可以不用考慮該方法在完全密封條件下很難檢測(cè)的要求。

 

  4.綜合檢測(cè)技術(shù)

 

  其實(shí)無(wú)論哪種檢測(cè)方法均有一定的局限性,無(wú)法將開(kāi)關(guān)柜的運(yùn)行狀態(tài)客觀、全面、真實(shí)的反映出來(lái),還會(huì)出現(xiàn)誤判的可能。由于放電類型能量的釋放形式不同、各種檢測(cè)方法的實(shí)用性與靈敏度也存在差異,所以在對(duì)開(kāi)關(guān)柜局部放電檢測(cè)過(guò)程中,要將上述檢測(cè)手段綜合應(yīng)用,以地電波檢測(cè)為主、超聲波檢測(cè)及超高頻檢測(cè)為輔來(lái)進(jìn)行。



 

局部放電分析技術(shù)

  具體而言,常用的局部放電分析技術(shù)包括以下幾種:
       第一,橫向分析法,即對(duì)同個(gè)開(kāi)關(guān)室中開(kāi)關(guān)柜的檢測(cè)結(jié)果做出橫向比較,如果其中一個(gè)開(kāi)關(guān)柜的檢測(cè)結(jié)果大于現(xiàn)場(chǎng)背景值以及其它開(kāi)關(guān)柜的測(cè)試結(jié)果,則可以確定該設(shè)備可能存在缺陷;
       第二,趨勢(shì)分析法,分析同一個(gè)開(kāi)關(guān)柜在不同時(shí)間的檢測(cè)結(jié)果,進(jìn)行縱向比較判斷開(kāi)關(guān)柜的運(yùn)行趨勢(shì)。根據(jù)特定的周期檢測(cè)開(kāi)關(guān)室中的開(kāi)關(guān)柜,保留每次的檢測(cè)結(jié)果,后續(xù)就可以根據(jù)檢測(cè)結(jié)果對(duì)設(shè)備局部放電狀態(tài)變化的趨勢(shì)進(jìn)行分析;
       第三,閾值比較,即提供判斷閾值,將其與開(kāi)關(guān)柜的檢測(cè)結(jié)果做出比較,分析結(jié)果判斷開(kāi)關(guān)柜的運(yùn)行狀態(tài)??梢愿鶕?jù)以下根據(jù)做出判斷:開(kāi)關(guān)室內(nèi)背景值與測(cè)試值都在20dB以下時(shí),開(kāi)關(guān)設(shè)備正常,下月再次進(jìn)行巡檢;開(kāi)關(guān)室內(nèi)背景值在20dB以下,而某些開(kāi)關(guān)柜的測(cè)試值在20~30dB,對(duì)該開(kāi)關(guān)柜加強(qiáng)關(guān)注,縮短檢測(cè)周期,觀察檢測(cè)幅值的變化趨勢(shì);;如果開(kāi)關(guān)室內(nèi)背景值在20dB以下,而某些開(kāi)關(guān)柜的測(cè)試值大于30dB,該開(kāi)關(guān)柜有局部放電現(xiàn)象,應(yīng)使用定位技術(shù)對(duì)放電點(diǎn)進(jìn)行定位。

 

  總之,局部放電體現(xiàn)出一定的復(fù)雜性,通常在絕緣內(nèi)部擊穿場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)較低的部位容易發(fā)生局部放電,而且絕緣介質(zhì)內(nèi)部的電場(chǎng)分布、絕緣的電氣性能均對(duì)發(fā)生局部放電的條件起著決定性作用。而在實(shí)際檢測(cè)過(guò)程中,要選擇合理、適用的檢測(cè)方法與分析方法,及時(shí)排除故障,保證開(kāi)關(guān)柜處于良好的運(yùn)行狀態(tài)。

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