一問一答

熱門新聞

1.高壓開關(guān)柜的放電類型詳解

概述:一是內(nèi)部放電。高壓開關(guān)柜內(nèi)部絕緣結(jié)構(gòu)出現(xiàn)雜質(zhì)或氣隙時，在高電壓作用下容易引發(fā)內(nèi)部放電現(xiàn)象。在制造絕緣結(jié)構(gòu)時，因選擇了不同介質(zhì)或工藝不佳的絕緣材料，導(dǎo)致絕緣結(jié)構(gòu)電場分布不均勻；因安裝不規(guī)范造成的內(nèi)部缺陷
2.進(jìn)相器原理進(jìn)相器工作原理圖

概述:一、進(jìn)相器工作原理1）繞線式電機(jī)轉(zhuǎn)子側(cè)用進(jìn)相補償工作原理異步電機(jī)負(fù)載運行時的電路分析異步電機(jī)帶負(fù)載運行時的等效電路圖及各物理參數(shù)的相量關(guān)系圖如圖一、圖二所示：圖一異步電動機(jī)等效電路圖由異步電動機(jī)等效電路圖一和相量關(guān)系圖二可知，電機(jī)功率因數(shù)cosφ1決定于電網(wǎng)電壓U1與電機(jī)定子電流I1之間的夾角φ1，
3.什么是發(fā)電機(jī)的進(jìn)相和遲相？發(fā)電機(jī)的工作狀態(tài)有幾種？

概述:在一般情況下，因負(fù)荷以感性為多，同步發(fā)電機(jī)既發(fā)出有功，也發(fā)出無功，這種狀態(tài)稱為發(fā)電機(jī)的遲相運行，或稱為滯后，發(fā)電機(jī)正常即處于遲相運行狀態(tài)，此時發(fā)電機(jī)發(fā)出感性無功功率。但有時發(fā)電機(jī)送出有功，吸收無功，這種狀態(tài)稱之為發(fā)電機(jī)的進(jìn)相運行。改變發(fā)電機(jī)的無功功率輸出，一般可通過改變進(jìn)入轉(zhuǎn)子回路的勵磁電流來實現(xiàn)。
4.什么是無功補償，無功補償?shù)幕驹砼c計算公式

概述:您好！我們公司需要采購一臺無功補償裝置，該如何計算容量，請告知一下！
5.三菱變頻器故障代碼大全及故障原因

概述:三菱變頻器故障報警代碼之嚴(yán)重故障代碼故障名稱檢查要點E.OC1加速時過電流斷路是否急加速運轉(zhuǎn)輸出是否短路，主回路電源(R，S，T)是否供電。E.OC2定速時過電流斷路負(fù)荷是否有急速變化，輸出是否短路。E.OC3減速時過電流斷路是否急減速運轉(zhuǎn)，輸出是否短路，電機(jī)的機(jī)械制動是否過早E.OV1加速時再生過
6.電容補償柜的功率因數(shù)達(dá)到多少才能補償

概述:功率因數(shù)是很多工廠，企業(yè)經(jīng)常關(guān)注的一個問題，能否達(dá)到國家規(guī)定的功率因數(shù)，是否實現(xiàn)省電降耗是很多工廠密切關(guān)注的，所以工廠在建設(shè)的就需要考慮到這個問題。國家以用途和變
7.電動機(jī)滾動軸承間隙故障的處理方法

概述:您好，張工，我公司設(shè)備上的電機(jī)轉(zhuǎn)動有異響，是不是因為軸承之間有縫隙或者異物卡了？
8.高壓變壓器房離人安全距離規(guī)定是什么

概述:我公司在設(shè)計高壓變壓器機(jī)房，想問一下有什么需要注意的，還有安全距離一般是多少？
9.高壓斷路器一般規(guī)定與斷路器操作問題

概述:您好，我公司的設(shè)備老是燒斷路器，換了好幾個了，應(yīng)該不是元器件問題，是不是我們的操作不當(dāng)？
10.50平方鋁線三相電，50千瓦，經(jīng)過2千米，線損是多少？

概述:我是一名戶外電工，現(xiàn)在要更換一根線路，用的是50平方的三相鋁線，已經(jīng)知道距離大概是2千米，50KW起步，估計到末端會損耗多少？

查看全部

一問一答

當(dāng)前位置：新聞中心 > 一問一答 >

靜止式進(jìn)相器總是燒可控硅

發(fā)布時間：2022-01-22

瀏覽量：0

發(fā)布者：源創(chuàng)大白

分享到

問題描述：

我單位使用在3550KW的繞線式電機(jī)無功補償用的是靜止式進(jìn)相器，自投入使用以來經(jīng)常燒壞可控硅，一次都是壞2個，陰極與陽極擊穿，原先以為溫度高，因為工作時連接母排手摸也就是敢碰一下，后來加了冷卻風(fēng)機(jī)手能放在上面好幾秒，但還是壞可控硅?？煽毓枋褂玫氖荎P系列1200A1800V的，現(xiàn)在不知道是可控硅選的

國產(chǎn)系列的晶閘管(可控硅)的耐壓一般不會超過1500V!而3550KW(10KV)電動機(jī)的轉(zhuǎn)子開路電壓為1470V，接近可控硅的耐壓極限，在進(jìn)相切換時，如果可控硅的參數(shù)偏差較大時，很容易造成某一對可控硅擊穿！通常是(-C,+A)，(-A,+B)，(-B,+C)其中的一對擊穿，同時對應(yīng)可控硅并聯(lián)的阻容吸收回路必定擊穿。

解決的辦法:

1,挑選參數(shù)盡量一致的可控硅元件.

2,適當(dāng)加大阻容吸收回路的時間常數(shù).

3,適當(dāng)控制電源電壓,避免啟動進(jìn)相機(jī)時的過電壓現(xiàn)象。

微信公眾號